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PRAM內存與DRAM內存的區別

文章出處:研維官網人氣: 發表時間2017-10-11 10:25:32
         就目前而言,國內大的晶圓代工廠當屬中芯國際,除了處理器業務范圍之外,他們現在又打算把手伸向存儲芯片行業。2014年9月,中芯國際成功自主研發了采用38nm工藝的NAND閃存芯片。
         現如今,中芯國際與Crossbar公司成功簽署了一項合作協議。協議的內容包括,中芯國際將使用40nm工藝為Crossbar代工PRAM阻變式存儲器芯片,這項協議的簽署代表中芯國際成功進軍下一代內存產業。
         PRAM具有高性能和低功耗的優點,未來還可以用于物聯網、可穿戴設備、三防平板電腦、工業市場等環境下。目前Intel和三星等行業領導者都在大力推進PRAM內存的發展。
         PRAM阻變式存儲器,亦可稱之為相變內存,其使用硫化物玻璃進行制造,芯片的特點在于,硫化物玻璃受熱后可在晶體和非晶體之間進行形態的變化,不同的狀態下,其電阻亦不相同,利用這項特性,我們可以進行數據的存儲。
        與DRAM相比,PRAM不僅寫入速度上快30倍,同時,壽命也比DRAM高出10倍以上。而且PRAM大的優點在于設備斷電后依然可以保存數據,這樣看來,PRAM不僅僅可以代替內存,同時還可取代閃存。
           綜上所述,相比大家對PRAM與DRAM也有一定的了解,南京研維專業于加固平板電腦、帶網口三防平板電腦等,歡迎大家前來咨詢!
          
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